Пам’ять, що думає: як нова технологія прискорить штучний інтелект

Штучний інтелект (ШІ) вимагає дедалі більше ресурсів, але сучасні комп’ютери все ще працюють за застарілою схемою: дані зберігаються в одному блоці, а обробляються — в іншому.

Це призводить до втрат часу й енергії на постійне копіювання інформації.

Джерело: techxplore.com

Дослідники з Південнокорейського POSTECH (Пхоханський університет науки і технологій) запропонували радикальну альтернативу — обчислення в пам’яті (in-memory computing), де дані не переміщуються, а обробляються там, де зберігаються.

Ключем стала технологія ECRAM — електрохімічна оперативна пам’ять. Вона працює за допомогою іонів: коли на пристрій подається напруга, іони рухаються в каналі, змінюючи стан пам’яті. Це схоже на роботу синапсів у мозку — одночасне зберігання й обчислення.

Досі залишалося незрозумілим, як саме всередині таких пристроїв поводяться електрони. Команда професора Сеййона Кіма з POSTECH спільно з IBM провела дослідження на основі нового пристрою з оксиду вольфраму. Експерименти при температурах від –223°C до +25°C дозволили вперше побачити, що всередині ECRAM утворюються мілкі донорні стани, через які електрони проходять значно швидше. Це, по суті, внутрішні ярлики для струму.

Особливо важливо, що цей ефект зберігається навіть при дуже низьких температурах. Це означає, що пристрій надзвичайно стабільний і перспективний для практичного використання.

Технологія in-memory computing з ECRAM обіцяє реальну революцію в обчисленнях: без зайвих передач, без затримок — тільки швидка й розумна пам’ять.